搜索内容
登录
FinFET存储器
0人关注
与平面工艺相比，FinFET的复杂性一般会导致更加昂贵的制造工艺，FinFET降低了工作电压，提高了晶体管效率，对静态功耗（线性）和动态功耗（二次方）都有积极作用。可节省高达50%的功耗。性能也更高——在0.7V上，性能（吞吐量）比平面工艺高37%。
...展开
3
文章
0
视频
0
帖子
4549
阅读
关注标签，获取最新内容
全部
技术
资讯
浅谈FinFET存储器的缺陷修复和测试算法
2019-01-03
4239阅读
检测和诊断FinFET存储器具体缺陷和修复方法
2017-11-16
1413阅读
FinFET存储器的设计挑战以及测试和修复方法
2016-09-30
2881阅读
相关推荐
更多 >
云储存
富士通
3d nand
江波龙
非易失性存储器
LPDDR4
合肥长鑫
NOR flash
nvme
3D NAND Flash
福建晋华
×
20
完善资料，
赚取积分
下载APP
搜索内容
