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具有集成驱动器、保护和温度报告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FET数据表
2024-03-28
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四种将被氮化镓革新电子设计的中压应用
2024-03-27
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GaN芯片制造商英诺赛科计划香港上市
2024-03-25
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650V 30mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG3526R030数据表
2024-03-25
454阅读
650V 50mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG3526R050数据表
2024-03-22
472阅读
650V 50mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG3522R050数据表
2024-03-22
478阅读
600V 50mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG342xR050数据表
2024-03-21
700阅读
600V 30mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG342xR030数据表
2024-03-21
505阅读
具有集成驱动器的650V 270mΩ GaN FETLMG3616数据表
2024-03-21
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具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表
2024-03-21
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2024-03-20
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