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MDD
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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌，15年的行业深耕，一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上，积累了厚实的研发设计能力，同时还建立全流程的封装测试产线（涵盖封装测试、成品测试等多项）。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
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器件名：
SD24C
产品描述：
Uni PD=350W VRWM=24V VBR=26.7V VC=52V IPP=7A IR=1uA CJ=50PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
GBU2510
产品描述：
桥式整流器/整流桥 VRM=1000V，IO=25A，IFSM=350A，VF=1.1V，IR=10uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
RS3GC
产品描述：
VR=400V IF=3A VF=1.3V IR=5uA trr=150nS
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
79L05
产品描述：
PD=0.6W Io=100mA Vo=-5V
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
KBL608
产品描述：
桥式整流器/整流桥 VRM=800V，IO=6.0A，IFSM=125A，VF=1.1V，IR=10uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
78L06
产品描述：
PD=0.6W Io=100mA Vo=6V
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SD12C
产品描述：
PP350W VBR13.3V VRWM=12V IPP32V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
GBU1510
产品描述：
桥式整流器/整流桥 VRM=1000V，IO=15A，IFSM=240A，VF=1.1V，IR=10uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
GBLC24C
产品描述：
Bi PD=300W VRWM=24V VBR=26.7V VC=56V IPP=3A IR=1uA CJ=0.8PF
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SD36C
产品描述：
Uni PD=350W VRWM=36V VBR=40V VC=75V IPP=5A IR=1uA CJ=35PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SI2301S
产品描述：
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
S6MC
产品描述：
VR=600V IF=6A VF=1.2V IR=10uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
S10MC
产品描述：
VR=1000V IF=10A VF=1.2V IR=10uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
AO3401
产品描述：
30V P沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.2V
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
TL431
产品描述：
VKA=37V，IKA=100mA，PD=300mW
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
S3MC
产品描述：
VR=1000V IF=3A VF=1.1V IR=5uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
ES2DB
产品描述：
快/超快恢复二极管 电压:200V 电流:2A SMB(DO-214AA)
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
US2MB
产品描述：
VR=1000V IF=2A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
1N4007G
产品描述：
整流二极管 电压:1KV 电流:1A DO-41(DO-204AL)
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
78L12
产品描述：
PD=0.6W Io=100mA Vo=12V
生产厂商：
MDD
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