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MDD
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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌，15年的行业深耕，一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上，积累了厚实的研发设计能力，同时还建立全流程的封装测试产线（涵盖封装测试、成品测试等多项）。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
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器件名：
SS26F
产品描述：
SS26F
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
1SMA4740A
产品描述：
1SMA4740A
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
79L09
产品描述：
79L09
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SK84C
产品描述：
SK84C
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
BZT52C56-XW
产品描述：
BZT52C56-XW
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SM05C
产品描述：
SM05C
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SS2200B
产品描述：
SS2200B
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
R5000
产品描述：
R5000
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SS28
产品描述：
肖特基二极管 VR=80V IF=2A VF=0.85V IR=500uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
ST54BF
产品描述：
ST54BF
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SS34AHE
产品描述：
SS34AHE
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
US2GB
产品描述：
快/超快恢复二极管 电压:400V 电流:2A SMB(DO-214AA)
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
MDD10N65F
产品描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
MDD2302
产品描述：
MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
MDD2301
产品描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
MDD7N65F
产品描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
MDD7N65D
产品描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
2SC3356
产品描述：
NPN VCEO=12V IC=100mA hFE=50~250
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
ES2B
产品描述：
快/超快恢复二极管 电压:100V 电流:2A SMB(DO-214AA)
生产厂商：
MDD
规格书
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价格
器件名：
MBR2060CT
产品描述：
MBR2060CT
生产厂商：
MDD
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