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MDD
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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌，15年的行业深耕，一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上，积累了厚实的研发设计能力，同时还建立全流程的封装测试产线（涵盖封装测试、成品测试等多项）。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
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器件名：
RS1G
产品描述：
VR=400V IF=1A VF=1.3V IR=5uA trr=150nS
生产厂商：
MDD
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替代料
价格
器件名：
MBRF20100CT
产品描述：
肖特基二极管 VR=100V IF=20A VF=0.85V IR=1000uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SS1200
产品描述：
肖特基二极管 电压:200V 电流:1A SMA(DO-214AC)
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
S5MC
产品描述：
VR=1000V IF=5A VF=1.1V IR=5uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
US1MF
产品描述：
快/超快恢复二极管 VR=1000V IF=1A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
LESD3Z5.0C
产品描述：
Bi PD=100W VRWM=5V VBR=5.6V VC=16V IPP=8A IR=1uA CJ=10PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SM712
产品描述：
PD=300W VRWM=12V&7V IPP=15A CJ=75PF 双向 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
GBLC12C
产品描述：
Bi PD=300W VRWM=12V VBR=13.3V VC=28.6V IPP=6A IR=1uA CJ=0.8PF
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
RS3MB
产品描述：
VR=1000V IF=3A VF=1.3V IR=5uA trr=500nS
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SI2305
产品描述：
P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
S3MB
产品描述：
VR=1000V IF=3A VF=1.1V IR=5uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
ES2JB
产品描述：
快/超快恢复二极管 电压:600V 电流:2A SMB(DO-214AA)
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SS38
产品描述：
肖特基二极管 VR=80V IF=3A VF=0.85V IR=500uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
ESD5Z5V0
产品描述：
Uni PD=174W VRWM=5V VBR=6.2V VC=18.6V IPP=9.4A IR=0.08uA CJ=80PF
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
KBP206
产品描述：
桥式整流器/整流桥 VRM=600V，IO=2.0A，IFSM=60A，VF=1.0V，IR=5uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SL54F
产品描述：
肖特基二极管 VR=40V IF=5A VF=0.45V IR=1000uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SK54
产品描述：
正向压降（Vf）：550mV @ 5A 直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：5A 40V,5A,VF=0.55V@5A
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
RL207
产品描述：
VR=1000V IF=2A 20pF
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
LM4007
产品描述：
VR=1000V IF=1A 15pF
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
1N5408
产品描述：
直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.2V@3A 反向电流(Ir)：5uA@1kV
生产厂商：
MDD
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