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MDD
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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌，15年的行业深耕，一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上，积累了厚实的研发设计能力，同时还建立全流程的封装测试产线（涵盖封装测试、成品测试等多项）。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
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器件名：
S2MF
产品描述：
整流二极管 VR=1000V IF=2A VF=1.1V IR=5uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SOD1F2 F2
产品描述：
直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：10μA@100V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-50℃~+150℃@(Tj)
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
RS1D
产品描述：
VR=200V IF=1A VF=1.3V IR=5uA trr=150nS
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
BZT52C47
产品描述：
PD=500mW，VF=0.9V，VZ=47V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
BC848A
产品描述：
NPN IC（集电极最大电流）=100mA PD（最大功率）=225mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SS3150C
产品描述：
VR=150V IF=3A VF=0.85V IR=200uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
S3MF
产品描述：
整流二极管 VR=1000V IF=3A VF=1.1V IR=5uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SS3200C
产品描述：
VR=200V IF=3A VF=0.95V IR=200uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
DSK12 K12
产品描述：
表面贴装肖特基势垒整流器
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
US3MC
产品描述：
快/超快恢复二极管 电压:1KV 电流:3A SMC(DO-214AB)
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
ES1G
产品描述：
VR=400V IF=1A VF=1.25V IR=5uA trr=35nS
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
MBRF20200CT
产品描述：
肖特基二极管 VR=200V IF=20A VF=0.95V IR=200uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
78L15
产品描述：
PD=0.6W Io=100mA Vo=15V
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
GBLC05C
产品描述：
Bi PD=300W VRWM=5V VBR=6V VC=18.3V IPP=8A IR=1uA CJ=0.8PF
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SD03C
产品描述：
Bi PD=350W VRWM=3.3V VBR=4V VC=13V IPP=20A IR=40uA CJ=450PF
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SL34
产品描述：
VR=40V IF=3A VF=0.45V IR=500uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SS1150
产品描述：
肖特基二极管 电压:150V 电流:1A SMA(DO-214AC)
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
US2J
产品描述：
VR=600V IF=2A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
BZT52C3V6T
产品描述：
PD=200mW VZ=3.6V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
MMBD4148A
产品描述：
VR=100V IF=0.2A VF=1.0V IR=100uA trr=4nS
生产厂商：
MDD
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替代料
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