电力电子产业实现“换道超车”的战略选择：国产SiC模块取代进口IGBT模块

安森美新型SiC模块评估板概述

碳化硅功率器件的特性和应用

纳微半导体APEC 2025亮点抢先看

SiC模块并联ANPC拓扑在225kW储能变流器中的方案优势

国产SiC MOSFET在T型三电平拓扑中的应用分析

逆变器应用中国产SiC单管替代进口IGBT单管损耗计算对比

英飞凌200mm SiC技术取得突破，2025年首供客户

环球晶宣布:6英寸碳化硅衬底价格趋于稳定

香港科技大学陈敬课题组揭示GaN与SiC材料的最新研究进展

英飞凌本季度出货首批8英寸SiC产品

英飞凌首批采用200毫米晶圆工艺制造的SiC器件成功交付

英飞凌达成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：开始交付首批产品

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基于国产SiC模块的50kW数据中心HVDC电源系统设计

华润微电子推出多领域应用功率模块新品

安徽省首条先进SiC车规功率模块产线成功下线

BTP1521P解决IGBT模块升级SiC模块的正负驱动电压

导通电阻骤降21%！Wolfspeed第4代SiC技术平台解析

125KW工商业储能变流器SiC模块取代老旧IGBT模块方案的技术优势