易星新材料获Pre-A轮融资，精进SiC研磨减薄技术

逆变焊机国产SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块的损耗计算

高频感应电源国产SiC碳化硅模块替代英飞凌IGBT模块损耗计算对比

英飞凌再次荣膺2024年全球电子成就奖，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模块备受瞩目

新品 | 第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬电距离

英飞凌科技：看好新能源汽车和AIoT市场增长潜力，打造创新产品为客户增加价值

国产首款！成功验证

AMAZINGIC晶焱科技技术应用：典范转移 EV全生态系商机 - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.

中国电力电子系统制造商的未来事业发展蓝图

碳化硅（SiC）MOSFET并联应用均流控制技术的综述

倾佳电子杨茜向您拜年：以SiC革新电力电子 · 2025与您智启零碳未来！

碳化硅（SiC）MOSFET以低价策略颠覆市场的核心逻辑

为V2H壁挂小直流双向充电桩提供SiC碳化硅MOSFET全桥功率模块解决方案

为SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超结MOS提供驱动芯片及驱动供电解决方案

为什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二极管全面取代FRD快恢复二极管

25个半导体项目达成签约、开工、封顶及投产等重要进展

国产首款高压抗辐射SiC功率器件完成空间验证并实现在轨电源系统应用

为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件？

SiC产业融资热潮持续,五家企业近期成功获资

碳化硅(SiC)功率器件在航空与航天领域的应用与技术前景