全力推进SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块,实现电力电子产业升级和自主可控!
新品 | CoolSiC™ MOSFET 3.3 kV XHP™ 2半桥模块
万年芯:半导体国产替代浪潮,机遇与挑战的“加速跑”
SiC解决方案:硅阳极能否增加电动汽车的续航里程
纳米银烧结技术:SiC半桥模块的性能飞跃
6W单极隔离辅助电源 用于SiC MOSFET与IGBT栅极驱动器
泰科天润斩获两项行业大奖
新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET
SiC市场激烈,万年芯在碳化硅领域的深耕与展望
自蔓延法合成碳化硅的关键控制点
瑞能半导体荣获“中国SiC Fabless十强企业”称号
华大半导体旗下中电化合物荣获2024年“中国SiC外延影响力企业”称号
SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)SiC肖特基势垒二极管介绍
扬杰科技荣获2024年行家极光奖“中国SiC IDM十强企业”
瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项
高纯碳化硅粉体合成方法
派恩杰荣获“中国SiC器件Fabless十强企业”
森国科荣获“中国SiC Fabless十强企业”称号
纳微半导体荣获2024行家极光奖三项大奖
SiC技术能否满足航天器和飞机的高功率需求!