SiC SBD的器件结构和特征

搭载SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块

面向高清电视的全数字音频系统设计

应用GaN技术克服无线基础设施容量挑战

沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

在功率二极管中损耗最小的SiC-SBD

全SiC功率模块使逆变器重量减少6kg、尺寸减少43%

1200V耐压400A/600A产品实现更低损耗与小型化

实现大电流化的技术要点

开关损耗更低，频率更高，应用设备体积更小的全SiC功率模块

采用第3代SiC-MOSFET，不断扩充产品阵容

SiC-SBD的产品阵容支持车载的650V/1200V、5A～40A

SiC肖特基势垒二极管更新换代步履不停

提高追求高可靠性的设备的效率与安全余量

SiC-MOSFET的可靠性

SiC功率模块的栅极驱动其1

SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别

SiC-SBD关于可靠性试验

SiC-SBD的发展历程

碳化硅的物理特性和特征