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IPS
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侵入保护（阻止）系统（IPS）是新一代的侵入检测系统（IDS），可弥补IDS存在于前摄及假阳性/阴性等性质方面的弱点。IPS能够识别事件的侵入、关联、冲击、方向和适当的分析，然后将合适的信息和命令传送给防火墙、交换机和其它的网络设备以减轻该事件的风险。
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器件名：
IPS604-05I
产品描述：
IPS604-05I - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
生产厂商：
IPS
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价格
器件名：
IPS604-05D
产品描述：
IPS604-05D - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
生产厂商：
IPS
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替代料
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器件名：
IPS604-03I
产品描述：
IPS604-03I - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
价格
器件名：
IPS604-03D
产品描述：
IPS604-03D - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
生产厂商：
IPS
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替代料
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器件名：
IPS6008-08U
产品描述：
IPS6008-08U - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
价格
器件名：
IPS6008-06U
产品描述：
IPS6008-06U - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
价格
器件名：
IPS6008-05U
产品描述：
IPS6008-05U - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
价格
器件名：
IPS6008-03U
产品描述：
IPS6008-03U - High sensitive triggering levels - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
生产厂商：
IPS
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价格
器件名：
CS2N60FA9H
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):24W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
价格
器件名：
CS8N60FA9H
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
价格
器件名：
CS5N60A4H
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
价格
器件名：
CS54123CS
产品描述：
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
价格
器件名：
CS4N80FA9HD
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):865pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
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器件名：
CS4N65A8HD
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
价格
器件名：
CS4N65A3HD1-G
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
价格
器件名：
CS2N65A4
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
价格
器件名：
CS120N08A8
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
价格
器件名：
3DD13007X1
产品描述：
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):80W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@5A,1A;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
价格
器件名：
CS4N60A8HD
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;
生产厂商：
IPS
规格书
替代料
价格
器件名：
CS2N60A3H
产品描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;
生产厂商：
IPS
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