环球晶宣布:6英寸碳化硅衬底价格趋于稳定
英飞凌首批采用200毫米晶圆工艺制造的SiC器件成功交付
香港科技大学陈敬教授课题组公布氮化镓与碳化硅领域多项最新研究成果
KAUST研发出千伏级蓝宝石衬底AlN肖特基二极管
埃克斯工业CEO李杰:以AI重塑半导体制造生态
华润微电子推出多领域应用功率模块新品
镓仁半导体成功实现VB法4英寸氧化镓单晶导电掺杂
安徽省首条先进SiC车规功率模块产线成功下线
8亿投资,又一半导体设备研制项目成功签约落地
长飞先进武汉基地总投资逾200亿,预计5月实现量产通线
金刚石基晶体管取得重要突破
芯和半导体科技拟A股IPO
25个半导体项目达成签约、开工、封顶及投产等重要进展
Nature Nano.远程外延晶体钙钛矿
关于超宽禁带氧化镓晶相异质结的新研究
半导体所在基于氧化镓的日盲紫外偏振光探测器方面取得新进展
魏少军教授ICCAD2024最新演讲：中国芯片设计业要自强不息
远山半导体氮化镓功率器件的耐高压测试
投资4.1亿元，年产165万只SiC功率模块项目正式投产！
一种无刻蚀损伤的新型Micro-LED像素制造技术
