晶振技术解析---电子设备的“时钟心脏”
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专题24c256芯片手册
24c256芯片手册
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点阵式存储器多功能LCD驱动电路VK2C24
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18次下载 2021-08-25 3.84 MB -
EEPROM存储芯片AT24C02芯片手册
EEPROM存储芯片AT24C02芯片手册(嵌入式开发培训需要学多久)-EEPROM存储芯片AT24C02芯片手册
186次下载 2021-07-30 51.85KB -
USB PD通信芯片LDR6023C数据手册
LDR6023C SSOP16 是乐得瑞科技针对 USB Type-C 标准中的 Bridge 设备而开发的双 USB-C DRP接口 USB PD 通信芯片。具备 Power Negotiation 数据包透传功能，切换 Data Role 功能，以及通过 VDM 协商让智能设备进入 ALT MODE 的功能,并针对各大手机品牌的 USB-C 兼容性进行
60次下载 2021-06-04 0.53 MB -
高精度原边反馈开关电源芯片SP5719数据手册
SP5719是一颗高精度离线式开关电源电路，应用于低功耗AC/DC充电器与适配器。SP5719使用原边取样来进行精确的恒流、恒压控制，可以省去一般应用中的光耦与TL431。
23次下载 2021-06-02 0.60 MB -
高效DC-DC升压调整器芯片HX3608数据手册
HX3608是一款微小型、高效率、升压型DC/DC调整器。电路由电流模PWM控制环路，误差放大器，斜波补偿电路，比较器和功率开关等模块组成。该芯片可在较宽负载范围内高效稳定的工作，内置一个4A的功率开关和软启动保护电路。高达93％的转换效率能够高效的延长电池寿命。可以通过调整两个外加电阻来设定输出电压。
37次下载 2021-04-26 1.08 MB -
R类音频功率放大器芯片CS8353C数据手册
CS8353C是一款带AB/D切换内置 BOOST升压模块，固定20倍增益，5.5Wx2立体声，R类音频功率放大器。内置的BOOST升压模块可以将锂电池电压升至到6.5∨并可以为4Ω的负载提供5.2W的恒定功率， BST EN使能端可以单独控制 BOOST模块的开启和关闭.AB类D类可切换模式的设计最大限度的减少音频子系统中功放对FM的干扰CS8353C在锂
16次下载 2021-03-11 2.90 MB -
AT24C01和24C256串行EEPROM的中文数据手册免费下载
CAT24WC01/02/04/08/16 是一个 1K/2K/4K/8K/16K 位串行 CMOS E2 PROM 内部含有 128/256/512/1024/2048 个 8 位字节 CATALYST 公司的先进 CMOS 技术实质上减少了器件的功耗 CAT24WC01 有一个 8 字节页写缓冲器 CAT24WC02/04/08/16 有一个 16 字节
28次下载 2020-12-22 0.56 MB -
PIC24FJ256GB410接插模块（PIM）信息表免费下载.pdf
本文主要介绍了PIC24FJ256GB410接插模块（PIM）信息表.
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Proteus之24C256开启次数统计
Proteus之24C256开启次数统计，很好的Proteus资料，快来下载不学习吧。
0次下载 2016-04-19 65KB -
24c256引脚连线求解
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 编辑 看了些资料都说24c系列的SCL和SDA引脚要接上拉电阻，但是有一个资料里说24c256芯片内部已经加了上拉电阻，连线时不用再加上拉了，想求助下各位高手究竟24c256是个例外不用再额外加上拉电阻了，还是也要像24c02那样也要加呢？
0次下载 2012-08-14 -
24c128/24c256 pdf datasheet
The 24c128/24c256 provides 131,072/262,144 bits of serial electrically erasable andprogrammable read only memory (EEPROM) organized as 16,384/32,768 words of 8bits each. The device
49次下载 2008-10-07 666 -
24C256中文资料,24C256中文数据资料
24C256是一个256K 位串行CMOS E2PROM。内部含有32768 个字节。每字节为8 位。CATALYST 公司的先进CMOS 技术实质上减少了器件的功耗。24C256 有一个64 字节页写缓冲器。该器
1353次下载 2008-10-07 666 -
FM24C256 pdf datasheet (256Kb
The FM24C256 is a 256-kilobit nonvolatile memoryemploying an advanced ferroelectric process. Aferroelectric random access memory or FRAM isnonvolatile and performs reads and writes
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24c512/24c256的读写程序
#include "msp430x13x.h" void nop(void) { _NOP(); _NOP(); _NOP(); } void start(void) &nb
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at24c128/at24c256 pdf datashee
The AT24C128/256 provides 131,072/262,144 bits of serial electrically erasable andprogrammable read only memory (EEPROM) organized as 16,384/32,768 words of 8bits each. The device’
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