专题dram与nand的区别

NAND Flash和NOR Flash的区别

1.1接口差别NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NOR Flash进行访问，可以很容...

dfmea和pfmea的区别

华秋DFM是国内首款免费的PCB设计可制造性分析软件，是面向PCB工程师、硬件工程师、PCB工厂、SMT工厂、PCB贸易商的一款必备的桌面工具，精准定位设计隐患，提供优化方案，生产所需的标准工具文件只需一键完成。

详谈NB-IoT和LoRa的区别及应用

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什么是无线充电？各项技术之间有何区别？资料下载

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一文读懂SRAM和DRAM资料下载

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电容耳麦和普通耳麦、动圈耳麦的区别资料下载

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allegro与PADS的区别及创建PCB封装的步骤

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串口人机界面和普通显示屏的区别及优势

HMI是Human Machine Interface 的缩写，“人机接口”，也叫人机界面。人机界面是系统和用户之间进行交互和信息交换的媒介，它实现信息的内部形式与人类可以接受形式之间的转换。凡参与人机信息交流的领域都存在着人机界面。

DRAM:产业结构变化孕育中国玩家进场良机

随着移动端增长结构的改变，以及大数据、AI 和数据中心等新需求的兴起，DRAM 市场正面临巨大的增长机会和结构性变化。虽然DRAM 总体位元需求依然会维持在 20%左右，但需求结构正在发生改变。智能手机出货量面临瓶颈的背景下，移动端 DRAM 需求增长主要来自单机内存容量的提升。但服务器和企业用 DRAM 需求则受益于大数据和 AI 训练等新需求而快速增长。

基于DRAM控制IP的输入/输出设计

NAND闪存有那些错误观念

在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。

PT100与NTC区别介绍

本文介绍了PT100与NTC区别，即NTC的阻值随温度升高而减小，PT100的是指在0度时阻值在100Ω，温度越高，阻值越高。

存储器芯片DRAM/NAND/RRAM技术详解

日前，存储器芯片主要供应商之一美光公司（Micron）在香港举行了 2014 夏季分析师大会，会上美光的高层管理人员就 DRAM、NAND 和新型存储器的市场趋势、技术发展以及 Micron 的公司策略进行了讲解。 首先，Micron 公司 CEO Mark Durcan 讲解了 DRAM 和 NAND 存储器的市场趋势。他说，未来几年 DRAM 出货量增长

DRAM与NAND概述及差别

什么是DRAM？ DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据） 工作原理 动态RAM的工作原理 动态RAM也

NOR和NAND Flash存储器的区别

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构，