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锗硅cmos

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材料、退火片和绝缘体上(SOI)的介绍

本文介绍硅锗材料、硅退火片和绝缘体上硅(SOI)

2024-12-24 09:44:12

二极管和二极管的区别是什么

在电子工程领域,二极管是一种基本的半导体器件,它允许电流单向流动。硅二极管和锗二极管是两种主要的材料类型,它们在性能和应用上有所不同。 材料特性 硅

2024-11-18 09:17:59

二极管如何区分管和

硅管由硅元素构成,它的PN结电压通常比锗管高很多,为0.7伏(标准反向电压)。硅

2023-08-26 09:47:57

120V,2A (SiGe) 整流器-PMEG120G20ELP

120 V、2 A 硅锗 (SiGe) 整流器-PMEG120G20ELP

资料下载 佚名 2023-02-20 18:44:20

150V,2A (SiGe) 整流器-PMEG150G20ELR

150 V、2 A 硅锗 (SiGe) 整流器-PMEG150G20ELR

资料下载 佚名 2023-02-17 20:03:41

24GHz收发器MMICBGT24MTR11数据手册

硅锗24GHz收发器MMICBGT24MTR11数据手册

资料下载 余久恒 2021-07-31 11:38:11

BFP640 NPN射频晶体管的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是BFP640 NPN硅锗射频晶体管的数据手册免费下载。

资料下载 陈伟生 2020-07-17 08:00:00

如何使用万用表来判断晶体管是管还是

硅管和锗管在特性上有很大不同,使用时应加以区别。我们知道,硅管和锗管的P

资料下载 佚名 2020-06-30 17:54:00

芯片制造主要用,为什么管制镓和的出口?

镓和锗是构成半导体的重要材料,也是芯片制造的关键元素。其中氮化镓(GaN)化合物可用于手机、电脑的LED显示屏,也广泛用于照明、电源、通信等领域。而锗主要用于光纤通信、夜视镜和卫星上的太阳能电池。此外

2023-07-06 10:19:08

技术增强无线电前端性能

本应用笔记介绍了硅锗如何增强RF应用中的IC性能。贾科莱托模型用于分析噪声效应。SiGe技术的更宽增益带宽表明可提供更低的噪声性能。探讨了SiGe对线性度的影响。

2023-02-24 14:23:26

如何区分二极管和二极管?

许多不同类型的二极管可供选择。大多数早期的二极管都是由锗单晶制成的。后来,随着硅材料的解决和制造工艺,硅管得到了开发和推广。以下是区分

2023-02-07 15:59:32

红外波段的锡探测器

硅基衬底上外延锗锡薄膜存在晶格失配和锡易分凝等难题,高质量高锡组分锗锡外延难度非常高。团队成员郑军副研究员长期聚焦

2022-07-10 11:31:46

半导体光电探测器与非晶基板上的非晶波导单体集成

引言 我们展示了一个利用高质量的绝缘体上锗(GeO)晶片通过晶片键合技术制造的阿格/非晶硅混合光子集成电路平台的概念验证演示。通过等离子体化学气相沉积形成的非晶

2021-12-24 10:42:40

直接调制器HMC497LP4的特性是什么?应用电路设计方法是什么?

本文介绍的宽动态范围硅锗直接调制器HMC497LP4 及其应用电路设计方法能帮助工程师设计出满足多频段应用的宽动态范围直接调制器。

2021-04-21 06:11:59

单芯片毫米波传感器如何抛弃工艺,步入CMOS时代?

:AWR1x和IWR1x。全新毫米波传感器产品组合中的5款器件都具有小于4厘米的距离分辨率,距离精度低至小于50微米,范围达到300米。同时,功耗和电路板面积相应减少了50%。且看单芯片毫米波传感器如何抛弃锗硅工艺,

2019-07-30 07:03:34
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