cmos闩锁效应图 - 电子发烧友网

深回扫器件在使用过程中，很容易面临一个问题——闩锁效应。闩锁效应是回扫型ESD器件（如SCR、GGNMOS等）在静电放电（ESD）保护过程中可能发生的一种非预期自维持导通现象。

2026-01-20 11:42:34

闩锁效应（Latch-up）是CMOS集成电路中一种危险的寄生效应，可能导致芯片瞬间失效甚至永久烧毁。它的本质是由芯片内部的寄生PNP和NPN双

2025-10-21 17:30:38

在CMOS电路中，存在寄生的PNP和NPN晶体管,它们相互影响在VDD与GND间产生一低阻通路，形成大电流，烧坏芯片，这就是闩锁效应，简称latch-up。

2025-07-03 16:20:46

电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体(CMOS)开关TMUX722x数据表.pdf》资料免费下载

资料下载张桂兰 2024-03-20 13:49:53

电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7219M数据表.pdf》资料免费下载

资料下载李燕 2024-03-20 11:12:39

电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7236数据表.pdf》资料免费下载

资料下载佚名 2024-03-20 10:56:00

闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构（双极晶体管）被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路。

资料下载佚名 2021-01-06 17:40:00

CMOS集成电路通常制造在尽可能重掺杂硼的P型（100）衬底上以减小衬底电阻，防止闩锁效应。

资料下载 AIRES大勇 2020-10-12 08:00:00

‌闩锁效应（Latch-up）是‌CMOS工艺中一种寄生效应，通常发生在CMOS

2024-12-27 10:11:44

闩锁效应：实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中，侧面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的

2023-12-01 14:10:07

单片机闩锁效应指的是单片机内部金属配线发生熔断的现象，那么导致单片机闩锁效应的因素是什么？单片机开发工程师表示，已知的导致单片机发生闩锁效应的因

2023-07-10 11:21:29

闩锁(Lanch-up)效应，一般我们也可以称之为擎住效应，是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象，当然，闩锁效应更多的是决定于IG

2023-04-06 17:32:55

什么是闩锁效应？闩锁效应是如何产生的？闩锁效应的触发方式有哪几种？

2021-06-17 08:10:49

闩锁（Lanch-up）效应，一般我们也可以称之为擎住效应，是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象，当然，闩锁效应更多的是决定于IG

2021-02-09 17:05:00

本篇主要针对CMOS电平，详细介绍一下CMOS的闩锁效应。 1、Latch up 闩锁

2020-12-23 16:06:44