cmos电路中闩锁效应 - 电子发烧友网

深回扫器件在使用过程中，很容易面临一个问题——闩锁效应。闩锁效应是回扫型ESD器件（如SCR、GGNMOS等）在静电放电（ESD）保护过程

2026-01-20 11:42:34

闩锁效应（Latch-up）是CMOS集成电路中一种危险的寄生效应，可能

2025-10-21 17:30:38

在CMOS电路中，存在寄生的PNP和NPN晶体管,它们相互影响在VDD与GND间产生一低阻通路，形成大电流，烧坏芯片，这就是

2025-07-03 16:20:46

电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7219M数据表.pdf》资料免费下载

资料下载李燕 2024-03-20 11:12:39

电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7236数据表.pdf》资料免费下载

资料下载佚名 2024-03-20 10:56:00

闩锁效应 (Latch Up) 是在器件的电源引脚和地之间产生低阻抗路径的条件。这种情况将由触发事件（电流注入或过电压）引起，但一旦触发，即使触发条件不再存在，低阻抗路径仍然存在。这种低阻抗路径可能会由于过大的电流水平而导致系统紊流或灾难性损坏。

资料下载佚名 2022-02-10 11:17:39

闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构（双极晶体管）被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路，导致

资料下载佚名 2021-01-06 17:40:00

CMOS集成电路通常制造在尽可能重掺杂硼的P型（100）衬底上以减小衬底电阻，防止闩锁效应。

资料下载 AIRES大勇 2020-10-12 08:00:00

‌闩锁效应（Latch-up）是‌CMOS工艺中一种寄生效应，通常发生在CMOS

2024-12-27 10:11:44

闩锁效应：实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子

2023-12-01 14:10:07

单片机闩锁效应指的是单片机内部金属配线发生熔断的现象，那么导致单片机闩锁效应的因素是什么？单片机开发工程师表示，已知的导致单片机发生闩锁效应的因

2023-07-10 11:21:29

闩锁(Lanch-up)效应，一般我们也可以称之为擎住效应，是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象，当然，闩锁效应更多的是决定于IG

2023-04-06 17:32:55

什么是闩锁效应？闩锁效应是如何产生的？闩锁效应的触发方式有哪几种？

2021-06-17 08:10:49

闩锁（Lanch-up）效应，一般我们也可以称之为擎住效应，是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象，当然，闩锁效应更多的是决定于IG

2021-02-09 17:05:00

本篇主要针对CMOS电平，详细介绍一下CMOS的闩锁效应。 1、Latch up 闩锁

2020-12-23 16:06:44