cmos电路发生闩锁的原理
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可控硅结构静电防护器件的防闩锁工程
维持电压低易闩锁是高性能可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)结构静电防护器件设计时需要克服的缺点。为了避免SCR静电防护器件在
2024-06-22 00:54:40
AN-793: iCoupler隔离产品的ESD/闩锁考虑因素
电子发烧友网站提供《AN-793: iCoupler隔离产品的ESD/闩锁考虑因素.pdf》资料免费下载
资料下载
李名扬
2025-01-13 15:09:51
CMOS闩锁测试中的电流脉冲如何加上的?
闩锁测试中进行电流注入测试时,管脚电压还不允许超多1.52倍最大电压,这个如何做到呢?注入的电流需要是在工作电流+100mA。
2024-02-04 07:29:18
一种电阻前置于DC-DC降压转换器的闩锁加固设计
低成本、高性能体硅CMOS器件在航天应用中存在着单粒子闩锁(SEL)的风险,专用宇航级抗SEL器件难以大量满足当前航天低成本、高性能、抗辐射需求
2023-01-29 11:09:57
如何防止电路中的闩锁问题
闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成
2019-06-11 17:19:55
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