GaN FET - 电子发烧友网

Texas Instruments LMG3612单通道GaN FET提供650V漏源电压和120mΩ漏源电阻，以及专为开关模式电源应用设计的集成驱动器。该 IC 将

2025-08-13 15:13:49

Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的电阻以及集成式驱动器和保护，适用于开关模式电源应用。通过将

2025-08-13 14:56:51

用UCC27611搭建的驱动GaN FET电路，在FET的Drain极不加电源时，UCC27611输出波形正常，

2024-12-20 08:22:06

电子发烧友网站提供《GAN041-650WSB氮化镓(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载

资料下载佚名 2025-02-13 14:24:19

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资料下载 KANA 2024-09-12 09:57:37

资料下载李鸿 2023-02-17 20:08:30

650 V、50 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN063-650WSA

资料下载 31274 2023-02-17 19:47:24

资料下载 hxjq 2023-02-17 19:13:16

基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出首批支持低电压（100/150 V）和高电压（650 V）应用的 E-mode（增强型）功率 GaN FET

2023-08-10 13:55:54

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化

2023-05-30 09:03:15

在过去几年里，GaN技术，特别是硅基GaN HEMT技术，已成为电源工程师的关注重点。该技术承诺提供许多应用所需的大功率高性能和高频开关能力。然而，随着商用G

2023-02-09 09:34:12

对比GaN FET：新的集成系统大型数据中心、企业服务器和通信交换中心会消耗大量电能。在这些电源系统中，FET通常与栅极驱动器分开封装，因为它们

2022-11-07 06:26:02

对于 48V 电源系统中的 GaN FET 应用，现有的一种方法是使用基于 DSP 的数字解决方案来实现高频和高效率设计。这在很大程度上是由于缺乏设计用于Ga

2022-08-04 09:58:08

对于 48V 电源系统中的 GaN FET 应用，现有的一种方法是使用基于 DSP 的数字解决方案来实现高频和高效设计。这在很大程度上是由于缺乏设计用于 Ga

2022-07-26 11:57:09

鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN

2022-07-18 10:06:19