GaN器件 - 电子发烧友网

近日，无晶圆厂环保科技半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）发布了一系列革命性的高能效氮化镓（GaN）功率器件，旨在推动

2024-06-12 10:24:24

随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能

2023-12-27 09:32:54

GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率

2023-12-07 17:27:20

电子发烧友网站提供《48V电源砖模块市场分析报告：市场洞察和元器件机遇.pptx》资料免费下载

资料下载佚名 2025-09-09 11:13:49

功率器件：Power Integrations推出的PowiGaN技术是业界首款GaN-on-Sapphire功率IC，已经在手机快充上大量出货。国内苏州捷芯威也推出了蓝宝石基氮化镓高压保护开关

资料下载佚名 2023-10-18 15:59:20

资料下载沈万三 2021-08-13 10:58:22

　在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓（GaN）功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的 MOSFET硅功率器件相比，

资料下载凤毛麟角 2020-11-02 10:40:00

GaN器件分为射频器件和电力电子器件，射频

资料下载王超 2020-07-27 10:26:00

领域的热点。如图1所示，GaN材料作为第三代半导体材料的核心技术之一，具有禁带宽度高、击穿场强大、电子饱和速度高等优势。由GaN材料制成的GaN

2023-06-25 15:59:21

意法半导体在PCIM Europe 虚拟会议上首次向业界展示了该公司用于汽车应用的集成式 STi 2 GaN系列 GaN 功率器件。利用台积

2022-08-03 10:44:57

作者研究了四个商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之间的宽温度范围内的性能。据作者介绍，正如原始文章中所报道的，所有测试的器件都可

2022-07-25 09:20:28

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有显着差异。

2021-11-17 09:06:18

为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件

2019-06-26 06:14:34

材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其成为最令人瞩目的新型半导体材料之一。目前，GaN 基发光

2019-06-25 07:41:00

在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于

2019-06-21 08:27:30