RF功率晶体管 - 电子发烧友网

2025-08-27 17:51:24

晶体管，锗PNP晶体管，硅NPN晶体管和硅PNP晶体管。》技术根据其结构

2023-02-03 09:36:05

`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管

2021-04-01 10:35:32

SPTECH硅NPN功率晶体管规格书

资料下载 z5bin 2022-02-25 15:06:05

SPTECH硅NPN功率晶体管规格书

资料下载 z5bin 2022-02-25 15:01:34

SPTECH硅NPN功率晶体管规格书

资料下载 z5bin 2022-02-25 14:36:06

SPTECH硅NPN功率晶体管规格书

资料下载 z5bin 2022-02-25 14:34:24

SPTECH硅NPN功率晶体管规格书

资料下载 z5bin 2022-02-25 14:23:23

500W的峰值脉冲功率。该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。所有设备都针对大信号

2021-04-01 10:29:42

至少800W的峰值脉冲功率。该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。所有设备都针对大信号

2021-04-01 10:11:46

脉冲功率。在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出

2021-04-01 10:07:29

`IDM165L650是一种高功率脉冲晶体管，专为工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系统而设计。该双MOSFET器件以1ms的脉冲宽度和20％的占空比工作，在瞬时工作带宽上以

2021-04-01 10:03:31

`IB2729M170是专为S波段ATC雷达系统设计的大功率脉冲晶体管，该系统工作在2.7-2.9 GHz的瞬时带宽上。在C类模式下工作时，该通用基础设备在100µs脉冲宽度和10％占空比的条件下

2021-04-01 09:48:36

500W的峰值脉冲功率。该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。所有设备都针对大信号

2021-04-01 09:41:49

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率

2019-08-22 08:14:59