新一代芯片制造材料二硫化钼

先进材料与三维集成技术的结合为边缘计算应用带来了新的可能性。本文探讨研究人员如何通过单片3D集成方式将硒化铟光电探测器与二硫化钼忆阻晶体管结合，实现传感器与计算单元之间物理距离小于50纳米的紧密集成[1]。

2026-02-02 15:58:05

）等二维材料因结构薄、电学性能优异成为新一代半导体的理想材料，但目前还缺

2025-03-08 10:53:06

2024年12月31日，国家市场监督管理总局(国家标准化管理委员会)发布2024年第32号中华人民共和国国家标准公告，批准由中国科学院半导体研究所牵头起草的国家标准GB/T 44935-2024 《纳米技术二硫化钼薄片的层数测量拉曼光谱法》正式发布，并将于2025年7月1日起实施。

2025-02-05 14:04:15

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资料下载佚名 2025-01-24 13:54:25

资料下载上海乾福 2021-09-10 10:56:21

在当今的电力电子市场上，与其他电子领域一样，降低成本是保持竞争力的必要条件。新一代高压功率MOSFET提供了与上一代器件相同的

资料下载平方电子 2021-04-21 09:19:24

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资料下载佚名 2021-04-12 08:43:10

资料下载佚名 2021-03-20 19:36:01

从单个晶体管发展到超过1000个晶体管的关键进步，在于可沉积材料的质量。经过大量工艺优化后，团队现在可生产均匀覆盖二硫化钼均质层的整个晶圆。

2023-11-15 15:18:41

这篇文章直接在氧化硅衬底上合成了高质量的双层二硫化钼薄膜，制备了透明和不透明顶栅双层二硫化钼晶体管，将它们构筑成8◊8图像传感器阵列。

2022-11-18 09:44:11

六方结构二硫化钼(2H-MoS2)因其成本低、活性适中而被认为是一种很有前途的贵金属析氢反应催化剂的替代品。

2022-11-01 10:29:57

高性能单层二硫化钼晶体管的实现让科研界看到了二维半导体的潜力，二维半导体材料

2022-10-17 10:50:04

原子薄二硫化钼（MoS2）具有优异的机械、光学和电子性能，是一种很有前途的集成柔性电子器件半导体材料。

2022-10-12 10:06:15

二维材料在纳米孔的制备上有其独特的优势，由于其厚度薄、表面可制备孔径并可进行化学后修饰等特性比三维材料有更好的利用前景。目前研究领域内，

2020-11-17 09:21:43

忆阻器是一类新的电路 - 它们可以结束硅时代并永远改变电子器件。自2008年惠普首次开发出带有二氧化钛薄膜的工作原型以来，工程师们一直在寻求完善

2019-09-04 11:31:08