以下是使用STM32标准外设库（适用于STM32F1/F4等系列）进行FLASH读写的示例代码。代码包含解锁、擦除、写入和读取操作，并进行了详细的中文注释：

#include "stm32f10x.h" // 根据实际型号包含对应头文件

// FLASH操作状态定义
typedef enum {
  FLASH_COMPLETE = 0,
  FLASH_ERROR
} FLASH_Status;

// FLASH起始地址（示例使用扇区5）
#define FLASH_START_ADDR     ((uint32_t)0x08020000)  // 对应128KB型号的扇区5起始地址
#define FLASH_SECTOR_TO_USE  FLASH_Sector_5         // 选择使用的扇区

// 解锁并初始化FLASH
FLASH_Status FLASH_Init(void) {
  // 1. 解锁FLASH
  FLASH_Unlock();

  // 2. 清除所有错误标志位
  FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

  return FLASH_COMPLETE;
}

// 擦除指定扇区
FLASH_Status FLASH_EraseSector(uint32_t Sector) {
  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

  // 等待上次操作完成
  if(FLASH_GetStatus() != FLASH_BUSY) {
    // 执行扇区擦除
    status = FLASH_ErasePage(Sector); // 对于F1系列使用FLASH_ErasePage()
    // F4系列使用 FLASH_EraseSector(Sector, VoltageRange_3);
  }
  return status;
}

// 写入数据到FLASH（半字/字操作）
FLASH_Status FLASH_Write(uint32_t addr, const uint8_t *data, uint32_t len) {
  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

  // 确保地址和长度有效
  if((addr < FLASH_START_ADDR) || (len == 0)) 
    return FLASH_ERROR;

  // 写入数据（以半字为单位）
  for(int i = 0; i < len; i += 2) {
    uint16_t val = *(uint16_t*)(&data[i]); // 组合两个字节

    // 执行写入操作
    if(FLASH_ProgramHalfWord(addr + i, val) != FLASH_COMPLETE) {
      status = FLASH_ERROR;
      break;
    }

    // 验证写入（可选）
    if(*(volatile uint16_t*)(addr + i) != val) {
      status = FLASH_ERROR;
      break;
    }
  }
  return status;
}

// 从FLASH读取数据
void FLASH_Read(uint32_t addr, uint8_t *buf, uint32_t len) {
  const uint8_t *flash_ptr = (const uint8_t*)addr;
  for(int i = 0; i < len; i++) {
    buf[i] = flash_ptr[i];
  }
}

/* 使用示例 */
int main() {
  // 初始化FLASH
  if(FLASH_Init() != FLASH_COMPLETE) {
    // 错误处理
    while(1);
  }

  // 擦除扇区
  if(FLASH_EraseSector(FLASH_SECTOR_TO_USE) != FLASH_COMPLETE) {
    // 错误处理
    while(1);
  }

  // 准备测试数据
  uint8_t write_data[] = "STM32 FLASH Test";
  uint8_t read_data[sizeof(write_data)];

  // 写入数据
  if(FLASH_Write(FLASH_START_ADDR, write_data, sizeof(write_data)) 
      != FLASH_COMPLETE) {
    // 错误处理
  }

  // 读取验证
  FLASH_Read(FLASH_START_ADDR, read_data, sizeof(write_data));

  // 比较数据（省略比较代码）

  // 操作完成后锁定FLASH
  FLASH_Lock();

  while(1);
}

关键注意事项：

1. 扇区选择：

   • STM32F1系列：扇区0-3=16KB，扇区4=64KB，扇区5-11=128KB（具体参考手册）
   • STM32F4系列：扇区大小不一致（0-3=16KB, 4=64KB, 5-11=128KB）

2. 写入对齐：

   • 写入操作必须是 半字（16位）或字（32位） 对齐
   • 地址必须是 2 或 4 的倍数（F1系列要求半字对齐）

3. 临界操作：

   • 擦除和写入期间禁止中断（操作前关闭全局中断）

     __disable_irq();  // 开始操作前禁用中断
     // FLASH操作
     __enable_irq();   // 操作完成后恢复中断

4. 库版本差异：

   • F4系列使用 HAL_FLASH_Program() 替代 FLASH_ProgramHalfWord()
   • F4擦除接口为 HAL_FLASHEx_Erase()

5. 重要安全措施：

   • 绝对避免擦除运行中的代码扇区（通常保留最后几个扇区存储数据）
   • 操作前校验地址范围是否合法
   • 写入后建议进行数据校验

常见问题处理：

• 写入失败：检查电压稳定性、时钟配置（需使用内部RC振荡器）
• 擦除卡死：操作前清除所有标志位（FLASH_ClearFlag()）
• 数据错位：确保数据长度是2的倍数（不足需补齐）

具体实现请参考对应型号的《参考手册》和《Flash programming manual》文档，不同系列操作细节存在差异。建议使用CubeMX生成初始化代码，再添加擦写功能。