光敏电阻有哪些性能参数?
光敏电阻是用硫化隔或硒化隔等半导体材料制成的特殊电阻器,表面还涂有防潮树脂,具有光电导效应。
光敏电阻(光电导管)的主要性能参数包括:
- 暗电阻(Dark Resistance, R₀)
- 在完全黑暗环境(通常指照度 ≤ 0.1lx)下,光敏电阻呈现的电阻值。这个值通常很大(几百千欧至几十兆欧)。
- 亮电阻(Illumination Resistance, Rᵢ)
- 在特定的标准照度(通常为100lx或规范指定的照度)下,光敏电阻呈现的电阻值。这个值比暗电阻小得多(几欧至几百千欧)。
- 光照系数(Illumination Factor)或 灵敏度(Sensitivity)
- 暗电阻(R₀)与亮电阻(Rᵢ)的比值。这个值越大,表示光敏电阻对光的响应越灵敏。γ = R₀ / Rᵢ。
- 光电流(Photocurrent, Iₚ)
- 在特定照度的光照下,流过光敏电阻的电流减去其在完全黑暗条件下的电流(暗电流)的值。
- 响应时间(Response Time)
- 上升时间/延迟时间(tᵣ): 指从光照射瞬间开始,光电流上升到其饱和值的63%(或特定百分比)所需的时间。
- 下降时间/恢复时间(tꜰ): 指光照停止后,光电流下降到其初始值(暗电流)的37%(或特定百分比)所需的时间。
- 注意:光敏电阻的响应时间相对较长(几十毫秒至数秒),远慢于光电二极管、光电三极管等半导体光电器件。
- 光电特性(光电曲线)
- 指光敏电阻的阻值(或电导率)与入射光照度(E)之间的关系曲线。通常在一定范围内近似满足:
R = k * E^(-γ)或G = S * E^γ(其中R是电阻,G是电导(=1/R),E是照度,k、S是常数,γ是照度指数)。 - 伽玛值/照度指数(γ): 描述了光敏电阻电阻值随照度变化的非线性程度。不同类型材料(CdS, CdSe等)的γ值不同,通常在0.5至1之间。γ值决定了光电曲线的形状。
- 指光敏电阻的阻值(或电导率)与入射光照度(E)之间的关系曲线。通常在一定范围内近似满足:
- 伏安特性(Voltage-Current Characteristic)
- 指在固定光照条件下,光敏电阻两端施加的电压(V)与流过它的电流(I)之间的关系曲线。在一定的电压范围内,这个特性近似为线性,即遵循欧姆定律(斜率等于该光照下的电阻值Rᵢ)。
- 温度系数(Temperature Coefficient)
- 指光敏电阻的阻值或其它参数随环境温度变化的程度。通常用在一定光照条件下,温度每变化1℃,电阻值的相对变化率来表示(%/℃)。光敏电阻的温度特性一般不太好,电阻值随温度升高而下降(负温度系数)。这是其精度不如半导体器件的原因之一。
- 最大工作电压(Maximum Operating Voltage, Vmax / Vmax. Op.)
- 光敏电阻两端所能承受的最大直流或交流电压有效值。超过此电压可能会损坏器件。
- 最大耗散功率(Maximum Power Dissipation, Pmax)
- 在规定的环境温度下,光敏电阻自身能承受的最大功率。超过此功率会导致器件过热损坏。通常由公式 Pmax = V² / R 计算得出(在电阻最小(光照最强)时计算)。
- 光谱响应特性(Spectral Response)
- 指光敏电阻的灵敏度(光电流大小或电阻变化率)与入射光波长之间的关系曲线。不同材料的光敏电阻(如CdS, CdSe, PbS)有不同的峰值响应波长范围(CdS通常在可见光区峰值约550nm附近)。
- 其他特性:
- 稳定性/时间老化: 指参数随时间推移而变化的程度。
- 尺寸和封装形式: 影响安装和空间适应性。
- 视角特性: 指光敏电阻对来自不同角度光线的灵敏度差异。
- 温度工作范围: 器件正常工作的环境温度限制。
总结: 在实际应用中,暗电阻、亮电阻、光照系数、响应时间、光谱响应范围和伏安特性通常是最核心的选型和评估参数。最大工作电压和最大耗散功率则是保证器件安全工作的重要参数。温度系数和光电特性曲线(γ值) 则影响电路设计的精度和复杂度。
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