gan高功率器件未来前景如何
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2-8GHz宽带GaN功率放大器设计方案
基于0.25μ Lm Gan HEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的2~8GHz宽带功率放大器MMC(单片微波集成电路)。MMC所用 Gan
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佚名
2021-05-28 10:21:51
高效高功率同步整流升压DC-DC芯片AMT6802
ANT6802是一款高功率、高效率同步整流DC-DC升压芯片,该芯片具有2.8V至15V的宽输入电压范围。芯片本身具备10A的开关电流能力,并且能够提供高达18V4A的输出
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佚名
2021-04-13 16:54:35
GaN器件的潜力和介绍及减小栅极驱动环耦合噪声技术的详细概述
在过去的十多年里,行业专家和分析人士一直在预测,基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的 MOSFET硅
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凤毛麟角
2020-11-02 10:40:00
什么是基于SiC和GaN的功率半导体器件?
元件来适应略微增加的开关频率,但由于无功能量循环而增加传导损耗[2]。因此,开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和
2023-02-21 16:01:16
具有SiC和GaN的高功率
电力电子将在未来几年发展,尤其是对于组件,因为 WBG 半导体技术正变得越来越流行。高工作温度、电压和开关频率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。从硅到 SiC 和
2022-07-27 10:48:41
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换一换
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