LED芯片出现暗裂（隐裂）与漏电的主要原因可归结为以下几个方面：

一、 LED暗裂（隐裂）的主要原因

1. 机械应力损伤:

   • 生产/封装过程冲击: 在芯片切割、分选、固晶（Die Attach）、焊线（Wire Bonding）或模块组装过程中，设备操作不当（如取放力过大、顶针压力不当）、意外碰撞或振动，导致芯片内部产生肉眼难以察觉的微裂纹。
   • 外部冲击与振动: 运输、安装或使用过程中受到外力撞击或剧烈振动。

2. 热应力:

   • 温度循环变化: 工作时LED反复经历通断电导致的温度剧烈变化（热膨胀/冷收缩），当芯片、支架、固晶材料之间的热膨胀系数不匹配时，会产生剪切应力，长期积累导致微裂纹。
   • 局部过热: 固晶层空洞、散热不良或电流分布不均导致芯片局部温度过高，产生热应力集中点。

3. 材料与结构应力:

   • 晶格缺陷与应力集中: 外延生长或芯片制造过程中残留的晶格缺陷、位错或应力集中区域，成为裂纹萌发的起点。
   • 芯片结构设计: 如沟槽、台面等刻蚀结构边缘应力集中，易在应力作用下开裂。

二、 LED漏电的主要原因

1. 直接由暗裂引起:

   • 裂缝延伸至PN结: 暗裂若扩展到发光层或耗尽区，会破坏PN结完整性，形成异常的电流泄漏通道。
   • 裂缝导致电极短路: 裂纹可能使正负电极间绝缘失效，形成导电通道。

2. 制造过程缺陷:

   • 外延层缺陷: 晶体生长不均匀、位错、杂质污染（如金属离子），在PN结边缘形成漏电路径。
   • 刻蚀/沉积损伤: 台面刻蚀或透明电极沉积等工艺损伤结区。
   • 芯片边缘缺陷: 切割造成的崩边、损伤未处理干净，导致边缘漏电。

3. 电过应力:

   • 静电放电: ESD事件产生的瞬间高压/大电流直接击穿结区或造成永久性损伤，形成漏电点。
   • 过电流冲击: 电路异常（如驱动电源浪涌）导致局部过热和材料损伤。

4. 化学腐蚀/污染:

   • 封装密封失效: 水汽/污染物侵入腐蚀芯片表面或电极（如银离子迁移），破坏绝缘或形成导电细丝（CAF）。
   • 焊接/封装材料腐蚀: 含卤素/硫的有机物释放腐蚀性气体（如环氧树脂分解的硫、氯离子），腐蚀金属电极或钝化层。

5. 材料退化:

   • 长期高温老化: PN结附近的材料在长期高温下发生不可逆退化或离子迁移。

深层根源总结表

重要影响路径

应力→暗裂形成→漏电通道→性能劣化
机械或热应力诱发芯片内部暗裂 → 裂纹延伸破坏PN结结构 → 形成非辐射复合通道 → 反向漏电流增加 → 正向电压异常升高 → 亮度下降 → 最终完全失效。

改善方向建议

• 优化工艺：减少生产中的机械损伤，精细控制固晶/焊线参数
• 材料匹配：选用热膨胀系数（CTE）适配的封装材料
• 静电防护：强化ESD管控（接地/离子风机/防静电包装）
• 结构设计：优化芯片边缘结构和切割工艺
• 质量控制：加强外延缺陷检测和芯片分选

这些因素往往相互关联，如机械应力直接导致暗裂，进而引发漏电；热应力和材料缺陷则会同时加剧两种问题。因此控制关键制程应力、保障材料质量是预防的核心。

如果有具体生产环节的问题或失效样品分析需求，可以进一步提供信息做针对性诊断。