STM32F103RFT6 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的基于 ARM Cortex-M3 内核的微控制器，其闪存（Flash）相关信息如下：

主要闪存特性：

1. 容量：

   • 768 KB（属于 STM32F103 系列的“大容量”型号），实际可用空间需考虑固件分区和保留区域。

2. 组织方式：

   • 闪存由主存储区和信息块组成：
     • 主存储区：用于用户程序和数据。
     • 信息块：包含系统存储器（用于内置 Bootloader）和选项字节（配置读写保护、复位模式等）。

3. 页大小：

   • 主存储区以 2 KB 为一页，支持按页擦除或全片擦除。

4. 擦写寿命：

   • 典型擦写次数为 10,000 次（需注意均衡使用以延长寿命）。

5. 访问速度：

   • 支持零等待周期（在 72 MHz 主频下），与 CPU 时钟同步。

6. 保护机制：

   • 支持读写保护（通过选项字节），防止未经授权的访问或误操作。

应用建议：

• 编程时可通过 SWD/JTAG 接口、内置 Bootloader（如 UART、USB）或用户代码（IAP）操作闪存。
• 注意合理规划闪存分区，避免频繁擦写同一区域。

如需更详细的技术参数，请参考官方数据手册（STM32F103xx Reference Manual）。