当 Vds 电压升高时，MOSFET 寄生电容总体呈下降的。当 Vds 电压 越低的时候，MOSFET 寄生电容越来越大，尤其是 Coss 电容。那么， 随着电压的升高，Coss 下降的是最快

）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW40N65H5的输入电容（Ciss）为2300pF，输出电容（Coss）为43pF。AIGW40N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（I

100nA，其 工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW50N65H5的输入电容（Ciss）为2800pF，输出电容（Coss）为54pF。AIGW50N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（ICpuls）为 150A，集电极到发射极电压（VCES）为650V，打开延迟时间t

±400nA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。FGH40N60SMD的输入电容（Ciss）为1880pF，输出电容（Coss）为180pF。FGH40N60SMD 的电性参数是：二极管正向

当MOSFET关断时，由于主变压器的漏感器（Llk）和MOSFET的输出电容器（COSS）之间发生共振，漏极引脚上出现高压尖峰。漏极引脚上的过大电压可能导致雪崩击穿，并最终损坏MOSFET。因此，有必要增加一个附加电路来钳制电压。本文提出了反激变换器RCD缓冲电路的设计原则。