SOI
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SOI工艺技术介绍
在半导体行业持续追求更高性能、更低功耗的今天,一种名为“SOI(Silicon-On-Insulator)”的工艺技术逐渐成为行业焦点。无论是智能手机、自动驾驶汽车,还是卫星通信系统,SOI技术都在幕后扮演着关键角色
2025-10-21 17:34:18
一文详解BSIM-SOI模型
随着半导体工艺进入纳米尺度,传统体硅(Bulk CMOS)技术面临寄生电容大、闩锁效应等瓶颈。SOI技术凭借埋氧层(BOX)的物理隔离优势,成为航空航天、5G通信等领域的核心技术。本篇介绍一下业界SOI工艺模型BSI
2025-09-22 10:41:36
IBS首席执行官再谈FD-SOI对AI的重要性,在≥12nm和≤28nm区间FD-SOI是更好的选择
电子发烧友网报道(文/吴子鹏)2024年10月23日,第九届上海FD-SOI论坛在浦东香格里拉酒店召开,FD-SOI产业链产业上下游企业再次汇聚一堂,其中包括多位行业重量级嘉宾,比如IBS首席执行官
2024-10-23 10:22:16
TEA1791AT GreenChip同步整流控制器
的控制器IC非连续导通模式和准谐振反激变换器的二次侧。TEA1791AT采用绝缘体上硅(SOI)工艺制备。2. 特点和优点2.1特色精确的同步整流功能宽电源电压范围
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aalele
2025-09-25 09:12:20
CMT8120N0双向数字隔离器的技术特性及应用解析
级别的ESD、EFT和浪涌抗扰性,工作温度范围(-40°C至125°C)及多种安全认证(如VDE,UL1577)。此外,文档提供了典型应用示例和PCB布局建议。针对不同的封装形式(SOIC-8窄体、SOI
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jf_39040353
2025-02-21 09:34:43
嵌入式处理器芯片Yulong410SE介绍
Yulong410SE是欧比特公司推出的新- -代嵌入式处理器芯片,芯片聚焦于图像处理、信号处理和智能控制。Yulong410SE芯片为异构多核架构(ARM+SPARC), 采用FD-SOI生产工艺
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李泽明
2022-06-08 15:32:52
智能剥离SOI高温压力传感器
岛2梁2膜结构的 SOI 高温压力传感器。 对SOI压力传感器的测量结果表明, 当温度增加到 150℃左右时, 输出电压没有明显的变化, 其工作温度高于一般的体硅压力传感器 (其工作温度一般在 120
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姚小熊27
2021-03-24 11:32:56
什么是SOI衬底?SOI衬底的优势是什么?
SOI是Silicon-On-Insulator的缩写。直译为在绝缘层上的硅。实际的结构是,硅片上有一层超薄的绝缘层,如SiO2。在绝缘层上又有一层薄薄的硅层,这种结构将有源硅层与衬底的硅层分开。而在传统的硅制程中,芯片直接在硅衬底上形成,没有使用绝缘体层。
2023-10-10 18:14:03
SOI晶圆目前的发展现况与未来规划
由现行SOI(Silicon on Insulator)晶圆与代工制造情形,可大致了解SOI变化趋势及重点地区,并借此探讨目前的发展现况与未来规划。
2019-06-19 16:35:27
换一换
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