关于运算放大器的噪声计算方法
运放是一个从功能的角度命名的电路单元,可以由分立的器件实现,也可以实现在半导体芯片当中。随着半导体技术的发展,大部分的运放是以单芯片的形式存在。
运算放大器的噪声计算是电子电路设计中的重要环节,主要涉及电压噪声、电流噪声及电阻热噪声的综合分析。以下是关键步骤和公式:
一、主要噪声来源
-
输入电压噪声((e_n))
运放内部器件产生的等效输入噪声,单位为 nV/√Hz,通常包含低频(1/f)和白噪声分量。 -
输入电流噪声((i_n))
输入偏置电流的噪声,单位为 pA/√Hz,对高阻抗电路影响显著。 -
电阻热噪声(约翰逊噪声)
电阻产生的噪声电压:
[ e_R = \sqrt{4kTRB} \quad (k: 玻尔兹曼常数, T: 开尔文温度, R: 电阻值, B: 带宽) ]
二、噪声计算步骤
1. 确定噪声带宽(ENBW)
噪声带宽通常由电路中的低通滤波器决定。对于一阶RC滤波:
[
ENBW = \frac{\pi}{2} \times f{-3dB} \approx 1.57 \times f{-3dB}
]
2. 计算各噪声源贡献
-
电压噪声贡献
[ E_n = e_n \times \sqrt{ENBW} \quad (需积分或近似计算) ] -
电流噪声贡献
流过电阻 (R) 时产生的噪声电压:
[ E_{i_n} = i_n \times R \times \sqrt{ENBW} ] -
电阻热噪声贡献
对每个电阻单独计算 (e_R = \sqrt{4kTRB})。
3. 合并所有噪声源
总输入噪声(RMS值):
[
E_{total} = \sqrt{En^2 + E{in+}^2 + E{in-}^2 + e{R1}^2 + e{R2}^2 + ...}
]
总输出噪声:
[
E{out} = E_{total} \times \text{噪声增益}
]
三、关键注意事项
-
噪声增益 vs 信号增益
噪声增益由反馈网络决定:
[ \text{噪声增益} = 1 + \frac{R_f}{R_g} \quad (\text{同相放大时}) ] -
电流噪声的影响路径
- 同相端电流噪声流过外部电阻 (R_p)(如偏置电阻)。
- 反相端电流噪声流过反馈电阻 (R_f) 和输入电阻 (R_g)。
-
频谱特性
- 低频(1/f)噪声在带宽积分时需分段计算。
- 白噪声可直接用 (e_n \times \sqrt{ENBW}) 近似。
四、实例计算
假设条件:
- 运放参数:(e_n = 10\ \text{nV/√Hz}, i_n = 1\ \text{pA/√Hz})
- 电路:同相放大,增益=10,(R_f = 9\ \text{kΩ}, R_g = 1\ \text{kΩ})
- 带宽 (ENBW = 10\ \text{kHz})
计算过程:
- 电压噪声:(10\ \text{nV/√Hz} \times \sqrt{10^4} = 1\ \mu\text{V RMS})
- 电流噪声贡献:
- 同相端电阻 (R_p = R_f \parallel R_g = 900\ \Omega)
(1\ \text{pA/√Hz} \times 900\ \Omega \times 100 = 90\ \text{nV RMS})
- 同相端电阻 (R_p = R_f \parallel R_g = 900\ \Omega)
- 电阻热噪声:
(e_{R_f} = \sqrt{4kTRfB} \approx 12\ \text{nV RMS})
(e{R_g} = \sqrt{4kTR_gB} \approx 4\ \text{nV RMS}) - 总输入噪声:
[ E_{total} = \sqrt{(1000)^2 + (90)^2 + (12)^2 + (4)^2} \approx 1005\ \text{nV RMS} ] - 输出噪声:(1005\ \text{nV} \times 10 = 10.05\ \mu\text{V RMS})
通过系统化分析各噪声源并合理合成,可准确评估运放电路的噪声性能。实际设计中需结合数据手册参数和具体电路拓扑进行优化。
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