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8205a芯片引脚图

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8205A

类型:双N沟道(共漏);漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):6.24nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):522.3pF@8V;反向传输电容(Crss@Vds

2024-04-07 17:52:18

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8205A是性能最高的沟道N-ch mosfet，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优良的RDSON和栅电荷。符合RoHS和产品要求，功能可靠。

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2023-03-28 17:23:57

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2022-10-18 08:00:00

8205双NMOS管，8205S，8205A大小电流。

1970-01-01 08:00:00 至 1970-01-01 08:00:00

六脚8205，8脚8205A芯片规格书

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2020-07-17 19:32:19

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锂电池过充过放保护电路采用DW01芯片配合MOS管8205A实现．DW01为锂电池保护电路芯片，具有高精度的电压监测和时间延迟电路。

2020-07-13 16:47:00

求 IC WD004A 芯片引脚图

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2019-07-02 10:00:20

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