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近期，意法半导体推出的STripFET F8技术系列低导通电阻MOSFET功率开关管，以“超低RDS(on)+极致小型化”为核心突破，通过创新型垂直沟道结构与3D封装工艺，在汽车配电系统、电池管理等

2026-04-28 14:28:22

STripFET F8技术可在提供极低导通电阻的同时，有效降低内部电容和栅极电荷，堪称功率MOSFET的一次重大突破。该技术能够降低导通损耗和开关损耗，从而提高整体效率。该系列MOSFET可提供40V和100V两种可选方案，且支持标准电平和逻辑电平两种驱动功能，是各种汽车应用的理想之选。

2026-01-13 11:31:08

意法半导体 STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8沟槽式MOSFET技术制造而成。该器件完全符合工业级标准。STL320N4LF8可降低

2025-10-29 15:48:51

意法半导体STL325N4LF8AG N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。 STL325N4LF8AG可确保非常低的导通电阻。该器件还降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。

2025-10-29 15:34:56

STMicroelectronics STL120N10F8100V N沟道增强模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。它确保极低的导通电

2025-10-25 09:55:21

STripFET F8与上一代产品相比，品质因数 (FoM) 提高了40%，有助于工程师设计出更紧凑、功率密度更高的功率级，适用于计算机和外设应用、数据中心、电信、太阳能、电源、电池充电器、家用和专业电器、游戏、无人机等领域。

2025-10-10 09:34:20

意法半导体近期推出了标准阈值电压(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管系列。该系列晶体管融合了强化版沟槽栅技术的优势，并具备出色的抗噪能力，专为非逻辑电平控制的应用场

2024-12-11 14:27:00

) 比上一代同类产品提高40%。新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术，引入氧化物填充沟槽工艺，集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身，实现高效的开关性能。因此

2023-05-26 14:11:20

汽车电动化和数字化的大趋势包括区域控制架构、功率芯片驱动数字化、电池管理系统、功率电子和电源/能源管理。

2023-02-06 13:48:52

、电机控制和配电电路的能耗和噪声。新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为

2022-06-24 09:57:45