碳化硅器件
浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS
归纳碳化硅功率器件封装的关键技术
摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥
碳化硅模块上车高湿测试
碳化硅模块上车高湿测试 2021年碳化硅很“热”。比亚迪 半导体 、派恩杰、中车时代电气、基本半导体等国内碳化硅功率
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596874
2023-02-21 09:26:45
碳化硅材料制成的碳化硅肖特基器件能带来哪些优势
第三代半导体碳化硅是目前半导体领域最热门的话题。提到 碳化硅(SiC) ,人们的第一反应是其性能优势,如更低损耗、更高电压、更高频率、更小尺寸和更高结温,非常适合制造大功率电子
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王健
2023-02-21 09:09:55
SiC碳化硅功率器件测试哪些方面
SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点,被广泛应用在电动汽车、风能发 电、光伏发电等新能源领域。 近年来,全球半导体功率
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张浩
2023-02-16 15:28:25
如何使用碳化硅器件实现高效率光伏逆变器的研究
采用新型碳化硅结型场效应功率晶体管的光伏逆变器与采用硅IGBT模块的传统光伏逆变器相比,具有开关频率高、体积小、效率高的特点。本文对桥式碳化硅模块的驱动,以及以
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鸿槿0829
2020-04-14 08:00:00
碳化硅基板——三代半导体的领军者
超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业
碳化硅半导体器件有哪些?
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,
碳化硅深层的特性
碳化硅的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射,在紫外光下发黄、橙黄色光,无
碳化硅的历史与应用介绍
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用,如汽车制动器和离合器,以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元
换一换
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