三星3nm和台积电5nm
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5nm及更先进节点上FinFET的未来:使用工艺和电路仿真来预测
虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先进节点上，兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。
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策马入林12
2022-05-27 17:24:13
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