51gan
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QPB3238:32至38 GHz的51 dBm WR-28波导固态GaN功率放大器
1970-01-01 08:00:00 至 1970-01-01 08:00:00
GaN和SiC区别
半导体的关键特性是能带隙,能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙(WBG)可以实现更高功率,更高开关速度的晶体管,WBG器件包括氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半导体。 GaN和SiC
第三代半导体GaN产业链研究
功率器件:Power Integrations推出的PowiGaN技术是业界首款GaN-on-Sapphire功率IC,已经在手机快充上大量出货。国内苏州捷芯威也推出了蓝宝石基氮化镓高压保护开关器件,单管耐压2000V
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佚名
2023-10-18 15:59:20
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为什么GaN会在射频应用中脱颖而出?
镓(Ga) 是一种化学元素,原子序数为31。镓在自然界中不存在游离态,而是锌和铝生产过程中的副产品。GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成,最常见的是纤锌矿晶体结构。纤锌矿晶体结构(如下图所示)呈六
如何正确理解GaN?
您已了解GaN晶体管出色的性能,您很兴奋。样品总算来到,您将它们放入板中。您打开电源,施加负载,结果……性能并没有比以前更好。更糟糕的是,遇到了以前不存在的开关问题。这些晶体管不好。真遗憾。为何出现这种情况?有没有可能遗漏了什么?如何正确理解
基于GaN的开关器件
在过去的十多年里,行业专家和分析人士一直在预测,基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
换一换
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