在STM32F103系列微控制器中，对内部Flash存储器进行擦除需要遵循特定的操作流程。以下是关键步骤和注意事项：

操作步骤

1. 解锁Flash控制寄存器

   • STM32的Flash默认处于写保护状态，需先解锁才能操作：

     FLASH->KEYR = 0x45670123;  // 写入解锁KEY1
     FLASH->KEYR = 0xCDEF89AB;  // 写入解锁KEY2

   • 若解锁失败，需先清除FLASH->SR中的错误标志（如PGAERR, WRPRTERR）。

2. 擦除操作

   • 扇区擦除（以擦除某1KB扇区为例）：

     FLASH->CR |= FLASH_CR_PER;        // 选择扇区擦除模式
     FLASH->AR = 0x0800XXXX;           // 输入待擦除扇区的起始地址（如0x08004000）
     FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT;       // 启动擦除
     while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY); // 等待擦除完成
     FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PER;       // 关闭擦除模式

   • 全片擦除（谨慎使用，可能需逐扇区操作）：

     FLASH->CR |= FLASH_CR_MER;        // 使能全片擦除
     FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT;
     while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);
     FLASH->CR &= ~FLASH_CR_MER;

3. 重新上锁Flash

   FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK;  // 操作完成后恢复写保护

注意事项

1. 中断与代码位置

   • 擦除期间需关闭全局中断（或确保代码未运行在待擦除的Flash区域）。
   • 建议将擦除代码加载到RAM中执行，避免擦除时程序崩溃。

2. 电源稳定性

   • 确保VDD电压稳定（2.7-3.6V），避免擦写过程中断电。

3. 擦除时间

   • 扇区擦除约需数ms，全片擦除时间更长。需通过FLASH_SR_BSY位等待完成。

4. 扇区划分

   • 不同型号扇区大小不同（如小容量16KB/扇区，中容量1KB或2KB/扇区），需查阅数据手册确认。

5. 选项字节保护

   • 若启用了写保护（RDP），需先解除保护才能擦除。

库函数简化操作（使用标准外设库）

#include "stm32f10x_flash.h"

void EraseFlashSector(uint32_t SectorAddress) {
    FLASH_Unlock();
    FLASH_Status status = FLASH_ErasePage(SectorAddress);  // 扇区擦除
    if (status != FLASH_COMPLETE) {
        // 处理错误
    }
    FLASH_Lock();
}

常见问题

• 擦除失败：检查电源、解锁步骤、地址是否合法，或是否存在硬件写保护（如BOOT0/BOOT1引脚状态）。
• 数据残留：擦除后所有位应为0xFF，写入前需确保数据正确（Flash只能将1写0，擦除恢复为1）。

如需进一步调试，可通过FLASH->SR寄存器分析错误标志（如编程错误、写保护错误等）。