场效应管的技术参数有哪些？其有什么含义？

场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

以下是场效应管（FET，包括MOSFET、JFET等）的主要技术参数及其含义的中文解释：

漏源击穿电压（VDS(BR) / VDSS）
- 含义：FET漏极（D）与源极（S）之间所能承受的最大反向电压，超过此电压会导致器件击穿损坏。
- 设计意义：需确保实际电路电压低于此值（通常需保留20-50%裕量）。
栅源击穿电压（VGS(BR)）
- 含义：栅极（G）与源极（S）之间绝缘层（如MOSFET的氧化层）能承受的最大电压，超压会永久损坏栅极。
- 设计意义：驱动电路输出必须限制在此值以下。
连续漏极电流（ID）
- 含义：在指定温度（常为25℃）和散热条件下，允许长期通过的漏极电流最大值。
- 设计意义：决定FET的电流承载能力，需结合散热设计考虑。
脉冲漏极电流（IDM）
- 含义：短时脉冲（如μs~ms级）允许的峰值漏极电流，通常远高于连续电流。
- 设计意义：用于应对启动、短路等瞬态过流场景。

导通电阻（RDS(on)）
- 含义：FET完全导通时，漏极到源极之间的等效电阻。
- 意义：
 - 直接影响效率：R_DS(on)越小，导通损耗越低（损耗 = I²·R）。
 - 与温度相关：温度升高时R_DS(on)会显著增大（尤其硅基器件）。
栅极阈值电压（VGS(th)）
- 含义：使FET开始导通（产生微小漏极电流，如250μA）所需的最小栅源电压。
- 意义：
 - 驱动需求：驱动电压必须高于V_GS(th)以保证完全导通（常需高出2-10V）。
 - 类型区分：
 - 增强型FET：V_GS(th) > 0（如+2V）。
 - 耗尽型FET：V_GS(th) < 0（如-2V）。

输入电容（Ciss）
- 计算公式：C_iss = C_gs + C_gd（栅源电容 + 栅漏电容）
- 意义：影响栅极充电时间，驱动电路需提供足够电流为其充电。
输出电容（Coss）
- 计算公式：C_oss = C_ds + C_gd（漏源电容 + 栅漏电容）
- 意义：开关过程中产生容性损耗（E_oss = ½C_ossV²），影响高频效率。
反向传输电容（Crss）
- 等同：C_gd（栅漏电容）
- 意义：米勒电容，通过米勒效应延长开关时间，易引起振荡，需优化驱动阻抗。
栅极总电荷（Qg）
- 含义：使FET从关断到完全导通所需的总栅极电荷量。
- 意义：
 - 驱动功耗：驱动损耗 = Q_g × V_GS × f（开关频率）。
 - 选型关键：高频应用中优先选择低Q_g的FET以降低损耗。
开关时间（td(on)/td(off)、tr/tf）
- 包含：开启延迟、关断延迟、上升时间、下降时间。
- 意义：决定开关速度，影响高频应用的效率与EMI。

最大功耗（PD）
- 含义：器件允许的最大功率耗散值（需在指定散热条件下实现）。
- 计算公式：P_D = (T_j(max) - T_c) / R_θJC（T_c为壳温）。
热阻（RθJA、RθJC）
- R_θJC：结到壳的热阻（单位℃/W），由器件本身决定。
- R_θJA：结到环境的热阻（含散热器），决定实际散热能力。
- 设计公式：T_j = T_a + P_loss × R_θJA（T_j需低于最大结温）。