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GaN和SiC区别
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
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第三代半导体GaN产业链研究
功率器件：Power Integrations推出的PowiGaN技术是业界首款GaN-on-Sapphire功率IC，已经在手机快充上大量出货。国内苏州捷芯威也推出了蓝宝石基氮化镓高压保护开关器件，单管耐压2000V
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佚名
2023-10-18 15:59:20
CS-ZB98壁挂单机98寸液晶广告机的产品简介
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h1654156031.8173
2021-01-04 15:15:00
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为什么GaN会在射频应用中脱颖而出？
镓(Ga) 是一种化学元素，原子序数为31。镓在自然界中不存在游离态，而是锌和铝生产过程中的副产品。GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。纤锌矿晶体结构（如下图所示）呈六
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