正常电容的损耗角正切值（通常称为D值或 tanδ）的范围差异很大，因为它高度依赖于电容器的类型、材料、工作频率和工作温度。

以下是不同类型电容器在典型工作条件下的 D值 (tanδ) 典型范围（以小数形式表示）：

1. 陶瓷电容器 (Ceramic Capacitors):

   • NPO/C0G (稳定型): 0.0001 - 0.002 (非常低，损耗最小)
   • X7R, X5R (中稳定型): 0.01 - 0.05 (中等损耗)
   • Y5V, Z5U (低成本高容值型): 0.05 - 0.10 或更高 (损耗相对较高)

2. 铝电解电容器 (Aluminum Electrolytic Capacitors):

   • 普通型: 0.10 - 0.30 (损耗较高)
   • 低ESR型 (用于开关电源): 0.05 - 0.15 (损耗较低但仍较高) 注：其ESR也影响整体损耗。

3. 钽电解电容器 (Tantalum Electrolytic Capacitors):

   • 二氧化锰阴极型: 0.01 - 0.10 (比普通铝电解低很多)
   • 聚合物阴极型: 0.01 - 0.05 (损耗最低)

4. 薄膜电容器 (Film Capacitors):

   • 聚丙烯 (PP, CBB): < 0.0005 (非常低，损耗极低)
   • 聚苯硫醚 (PPS): 0.0005 - 0.002
   • 聚酯 (PET, Mylar): 0.002 - 0.008
   • 聚碳酸酯 (PC): 0.002 - 0.008 (已较少见)
   • 聚萘二甲酸乙二醇酯 (PEN): 0.006 - 0.015
   • 金属化薄膜通常比箔式薄膜D值稍高一点。

5. 云母电容器 (Mica Capacitors):

   • 0.0001 - 0.001 (损耗很低，很稳定)

总结关键点：

• 越低越好： D值越低，表示电容器的能量损耗越小，效率越高，发热越少，品质因数越高。
• 材料决定范围： 薄膜电容（尤其是聚丙烯）和云母电容通常具有最低的D值，其次是陶瓷C0G、聚合物钽；普通铝电解电容的D值通常最高。
• 频率影响： D值通常是随频率变化的！在低频（如50/60Hz或1kHz）下测量的值可能与其在高频（如100kHz, 1MHz）下的值不同。规格书通常注明测试频率（常见有100Hz, 1kHz, 10kHz, 100kHz等）。
• 温度影响： D值也会随温度变化。
• 制造商差异： 不同制造商的工艺和材料配方也会导致D值存在差异。

因此，没有一个单一的“正常”范围适用于所有电容。在选择电容器时，需要根据其具体类型和在电路中的预期工作条件（频率、温度），查阅制造商提供的详细规格书中的D值或tanδ参数。

简单来说：

• 超低损耗: < 0.001 (例如 PP薄膜、云母、C0G陶瓷)
• 低损耗: 0.001 - 0.01 (例如 PET薄膜、聚合物钽)
• 中等损耗: 0.01 - 0.05 (例如 X7R/X5R陶瓷、低ESR铝电解)
• 相对较高损耗: > 0.05 (例如 Y5V/Z5U陶瓷、普通铝电解)

请务必参考具体器件的datasheet以获取准确值。