在 STM32 中保存数据通常涉及非易失性存储（数据掉电不丢失），以下是几种常用方法：

1. 内部 Flash 存储

• 适用场景：低频修改（如保存配置参数、校准值）
• 特点：
  • 擦写次数有限（约 1万~10万次）。
  • 以扇区为单位擦除（擦除后变为 0xFF），写入时只能将 1 改为 0。

• 步骤：

   #include "stm32f1xx_hal.h"  // 根据型号引入对应库
   uint32_t Address = 0x0800C000; // 示例地址（避开程序存储区）
  
   // 擦除扇区
   FLASH_EraseInitTypeDef eraser;
   uint32_t PageError;
   eraser.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
   eraser.PageAddress = Address;
   eraser.NbPages = 1; // 擦除1个扇区
   HAL_FLASH_Unlock();
   HAL_FLASHEx_Erase(&eraser, &PageError);
  
   // 写入数据（32位/字）
   uint32_t data = 0x12345678;
   HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, data);
   HAL_FLASH_Lock();

• 注意：需手动分配地址，避免覆盖程序代码（参考芯片手册的 Flash 分区图）。

2. 备份寄存器 (Backup Registers)

• 适用场景：极小量关键数据（如系统状态标志）
• 特点：
  • 掉电不丢失（需 VBAT 引脚接电池）。
  • 数量少（STM32F1 为 20 字节；F4 为 4KB 备份 SRAM）。

• 使用方法：

   // 使能备份域访问
   __HAL_RCC_PWR_CLK_ENABLE();
   HAL_PWR_EnableBkUpAccess();
  
   // 写入备份寄存器（示例为 STM32F1）
   WRITE_REG(BKP->DR1, 0x1234); // 访问 BKP->DR1~DR20
  
   // 读取数据
   uint16_t data = READ_REG(BKP->DR1);

3. 外部 EEPROM（通过 I²C/SPI）

• 适用场景：频繁擦写（如数据日志）
• 特点：
  • 擦写次数高（百万次以上）。
  • 需额外硬件（如 24C02）。
• 代码示例（I²C）：

   uint8_t buffer[2] = {0xAB, 0xCD}; // 待保存数据
   uint8_t addr = 0xA0; // EEPROM 地址
   HAL_I2C_Mem_Write(&hi2c1, addr, 0x00, I2C_MEMADD_SIZE_8BIT, buffer, 2, 1000);

4. RTC 备份寄存器

• 适用场景：与时间相关的数据（如时间戳）
• 使用方法：

   HAL_RTCEx_BKUPWrite(&hrtc, RTC_BKP_DR0, 0x12345678); // 写入
   uint32_t data = HAL_RTCEx_BKUPRead(&hrtc, RTC_BKP_DR0); // 读取

5. 文件系统（外部 SD 卡/SPI Flash）

• 适用场景：大容量数据存储（如音频、图像）
• 库支持：FatFS + HAL 库。
• 示例：

   f_mount(&fs, "", 1);          // 挂载文件系统
   f_open(&file, "data.txt", FA_WRITE);
   f_write(&file, buffer, size, &bytes_written);
   f_close(&file);

关键注意事项：

1. 操作安全：操作 Flash 期间禁止中断（避免代码在 Flash 运行）。
2. 数据校验：添加 CRC/校验和确保数据完整。
3. 磨损均衡：频繁写入时轮换地址（尤其 Flash）。
4. 电压稳定：编程期间电压波动可能导致失败。

根据数据量、擦写频率和可靠性要求选择合适方法，优先推荐：

• 小数据 → 备份寄存器
• 中等数据 → EEPROM
• 大数据/文件 → 外部存储 (SD/SPI Flash)