STM32F103C8T6 的晶振电路设计需根据其内部时钟系统配置，主要涉及 高速外部晶振（HSE） 和 低速外部晶振（LSE） 两部分。以下是具体设计要点：

一、高速外部晶振（HSE）

用途：为系统主时钟（最高72MHz）提供稳定时钟源。
典型频率：8MHz（常见设计，需通过PLL倍频）。
电路连接：

1. 引脚：
   • HSE 输入：OSC_IN（PC14）
   • HSE 输出：OSC_OUT（PC15）
2. 无源晶体配置：
   • 在 OSC_IN 和 OSC_OUT 之间连接晶体。
   • 每个引脚对地接 负载电容（典型值 10~22pF，具体值需参考晶体规格书）。
   • 示例电路：

     OSC_IN  ——|晶体|—— OSC_OUT  
             |  
             C1（对地）  
             C2（对地）  

3. 有源晶振配置：
   • 若使用有源晶振，信号直接输入 OSC_IN，OSC_OUT 悬空。

注意事项：

• 负载电容需根据晶体参数计算（公式：( C{load} = \frac{C1 \cdot C2}{C1 + C2} + C{stray} )）。
• 建议晶振靠近MCU，走线短且对称，避免干扰。
• 部分设计在晶体两端并联 1MΩ电阻（增强起振稳定性，非必需）。

二、低速外部晶振（LSE）

用途：为RTC、低功耗模式提供32.768kHz时钟。
电路连接：

1. 引脚：
   • LSE 输入：OSC32_IN（PC14）
   • LSE 输出：OSC32_OUT（PC15）
2. 无源晶体配置：
   • 使用32.768kHz晶体，连接在 OSC32_IN 和 OSC32_OUT 之间。
   • 每个引脚对地接 负载电容（典型值 6~15pF，需参考晶体参数）。
   • 示例电路：

     OSC32_IN ——|32.768kHz晶体|—— OSC32_OUT  
             |  
             C3（对地）  
             C4（对地）  

注意事项：

• LSE对电容精度敏感，需确保负载电容匹配晶体要求。
• 若RTC无需高精度，可省略LSE，使用内部LSI（约40kHz，但精度较差）。

三、常见问题

1. 晶振不起振：
   • 检查电容值是否匹配晶体规格。
   • 确认焊接良好，无虚焊或短路。
   • 优化PCB布局（缩短走线，远离高频信号）。
2. 时钟偏差大：
   • 重新计算负载电容，考虑PCB寄生电容。
   • 使用高精度晶体（如±10ppm）。

四、参考设计参数（无源晶体）

关键点：设计时务必参考具体晶体型号的规格书，并验证实际电路稳定性。