(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。 又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化

氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和

氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱

、设计和评估高性能氮化镓功率芯片方面，起到了极大的贡献。 应用与技术营销副总裁张炬（Jason Zhang）在

eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成

就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的

现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功

氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块

两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端

氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化