氮化镓半导体器件特性
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有关氮化镓半导体的常见错误观念
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术,可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么,为什么关于
2023-06-25 14:17:47
氮化镓(GaN)功率半导体之预测
氮化镓(GaN)是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度,更高的热导率和更低的导通电 阻,
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哈哈哈
2023-02-15 16:19:06
氮化镓(GaN)功率半导体技术和模块式设计资料下载
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佚名
2021-04-12 08:48:04
什么阻碍氮化镓器件的发展
流,但随着5G的到来,砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是,GaN成为下一个热点。
2019-07-08 04:20:32
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