氮化镓半导体工艺流程图解
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功率器件igbt工艺流程图解
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。当然功率半导体元件除了IGBT之外,还有MOSFET、BIPOLAR等,这些都能用来作为半导体开关,今天单说IGBT的
2023-09-07 09:55:52
有关氮化镓半导体的常见错误观念
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术,可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么,为什么关于氮化
2023-06-25 14:17:47
Nexperia氮化镓产品的成熟的工艺
Nexperia(安世半导体)的高功率氮化镓场效应晶体管,共将分为(上)(下)两期,包含其
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2023-02-22 15:40:43
半导体“黑科技”:氮化镓
来源:《半导体芯科技》杂志12/1月刊 近年来,芯片材料、设备以及制程工艺等技术不断突破,在高压、高温、高频应用场景中第三代半导体材质优势逐渐显
2023-02-17 18:13:20
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