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硅基氮化镓工艺

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2023-02-14 15:57:15

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2023-02-14 15:26:10

ICP刻蚀氮化LED结构的研究

研究采用电感耦合等离子体刻 蚀法对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀,刻蚀气体为氯气,添加气体为三氯化硼。研究了刻蚀气体流量、电感耦合等离

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Nexperia氮化产品的成熟的工艺

Nexperia(安世半导体)的高功率氮化镓场效应晶体管,共将分为(上)(下)两期,包含其工艺、性能优势、产品及封装等 内容。本期将先介绍 N

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氮化(GaN)功率半导体之预测

氮化镓(GaN)是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度,更高的热导率和更低的导通电 阻,氮化

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2023-02-14 14:46:58

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2023-02-06 16:44:27

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