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6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术
2022-01-25 09:18:08
6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅
2022-01-24 14:08:51
功率半导体碳化硅(SiC)技术
功率半导体碳化硅(SiC)技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)
资料下载
张敏
2023-02-15 16:03:44
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅
2022-01-24 10:09:12
6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.7迁移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅
2022-01-21 09:37:00
6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.8其他方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《
2022-01-11 17:26:05
5.2.3 扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
双极退化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.1.6.2电子
2022-01-06 09:25:55
6.3.2 氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.2氧化硅的介电性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化
2022-01-04 14:11:56
6.1.5 高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.1.5高温退火和表面粗糙化6.1离子注入第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理
2021-12-31 14:25:52
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