硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下

最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在

。虽然碳化硅组件可望成为推动电力设备由机械转向电子结构的重要推手，但现阶段碳化硅组件最主要的应用市场，其实是电动汽车。电动

碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？

什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？

面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率

通碳化硅（SiC）陶瓷基板完全符合新能源汽车要求。碳化硅（SiC）陶基板小型化的特点可大幅削减新能源

上，对介电常数要求严格，虽然有低温共烧陶瓷，仍然无法满足他们的要求，需要一种性能更好的升级产品，建议可以使用富力天晟的碳化硅基板；因应汽车需求而特别开发的产品（如IC 载板、软板、银胶贯孔等），也在向

碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无

的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶