合作代理商，深耕新能源汽车半导体应用领域，今天就从技术角度聊聊SiCMOSFET替代IGBT后，如何为热泵空调压缩机控制器带来质的飞跃。一、先搞

结合国家节能改造政策，SiC（碳化硅）功率模块替代传统IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块在电机通用变频器中的应用潜力巨大，其影响将深刻改变工业能

Si IGBT和SiCMOSFET器件在不同电流下的优异特性，一般会将的Si-IGBT和 SiC-MOSFET按照一定比例进行混合并联使用。

碳化硅MOSFET以其高开关速度、高温工作能力和低导通电阻等优势，在电动汽车、太阳能逆变器等领域替代IGBT。尽管

随着新能源市场的爆发，电动汽车，光伏、储能等下游应用驱动下，碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。特别是电动汽车上SiCMOSFET的大规模应用后，在近几年可以看到，国内外各大厂商都密集地加入到SiC

威兆MOS和IGBT在光伏储能中的应用

简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。