ROM（只读存储器）芯片的写入和擦除方式因类型而异。以下是常见ROM类型的操作原理：

1. Mask ROM（掩模ROM）

• 写入：在芯片制造时通过光刻工艺固化数据，不可改写。
• 擦除：无法擦除。

2. PROM（可编程ROM）

• 写入：使用烧录器施加高压电流，熔断内部熔丝实现编程（一次性写入）。
• 擦除：不可擦除，熔丝熔断后无法恢复。

3. EPROM（可擦写PROM）

• 写入：通过编程器发送高压脉冲（如12.5V）注入电荷到浮栅晶体管。
• 擦除：需用紫外线灯（波长253.7nm）照射芯片石英窗口15-30分钟，清除浮栅电荷。

4. EEPROM（电可擦写ROM）

• 写入：通过电路施加较高电压（如5V/3.3V）逐字节改写。
• 擦除：电信号擦除，支持按字节或整片擦除，擦写次数约10万次。

5. Flash（闪存，EEPROM变种）

• 写入：以页（如4KB）为单位编程。
• 擦除：需先以块（如64KB）或整片为单位擦除（归零），擦写次数约1万-10万次。

现代应用

• 嵌入式系统：通过SPI/I²C接口在线烧录（如STM32的Flash）。
• 存储设备：U盘/SSD通过控制器管理NAND Flash的编程/擦除（需纠错算法）。
• 安全要求：高压操作需防静电，紫外线擦除需避免直视光源。

工具

• 烧录器（如TL866）、开发板调试接口（如JTAG）、专用软件（如Flash Magic）。

不同类型ROM的物理限制决定了其适用场景，例如Mask ROM用于固件固化，Flash则适合频繁更新的场景。