trr - 电子发烧友网

1970-01-01 08:00:00 至 1970-01-01 08:00:00

二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD，其VF低于平面结构的SBD，因此可以在整流等应用中提高效率。而普通沟槽MOS结构的产品，其trr比平面结构的要差

2024-03-15 15:22:40

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列

2024-01-24 14:21:47

本文的关键要点在选择逆变器电路中的开关器件时，要选择trr小的产品，这一点很重要。如果逆变器电路中的开关器件的trr大，则开关损耗会增加。如果逆变器电路中的开关器件是MOSFET，请仔细确认

资料下载石正厚 2023-03-03 09:59:13

二极管配置：独立式直流反向耐压(Vr)：1kV平均整流电流(Io)：2A正向压降(Vf)：1.3V@2A反向电流(Ir)：5μA@1kV反向恢复时间(trr)：500ns工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)封装：SMB

资料下载 MDD辰达半导体 2022-08-19 15:54:59

直流反向耐压(Vr)：1kV平均整流电流(Io)：2A正向压降(Vf)：1.7V@2A反向电流(Ir)：5μA@1kV反向恢复时间(trr)：75ns工作温度：-50℃~+150℃@(Tj)封装：SMA(DO-214AC)

资料下载 MDD辰达半导体 2022-08-19 15:54:45

这种MOSFET是专门为降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。通过寿命控制，UniFET FRFETMOSFET的体二极管反向恢复性能得到增强。其trr小于100nsec，dv/dt

资料下载佚名 2021-03-25 17:06:36

近年来问世的硅高速开关二极管具有良好的高频开关特性，其反向恢复时间（trr）只有几纳秒（1纳秒=10-9秒）。由于它的体积很小，价格又非常便宜，现已被广泛用于电子计算机、电视机中的开关电路，还被用到控制电路高频电路中。

资料下载佚名 2020-06-23 16:43:03

AUIRFS4310TRR - HEXFET Power MOSFET - International Rectifier

2022-11-04 17:22:44

TRR03EZPJJ - Sulfur Tolerant Chip Resistors - Rohm

2022-11-04 17:22:44

TRR10 - Sulfur Tolerant Chip Resistors - Rohm

2022-11-04 17:22:44

TRR18EZPJ - Sulfur Tolerant Chip Resistors - Rohm

2022-11-04 17:22:44

MURB1520-1TRR - Ultrafast Rectifier ( trr = 35ns , IF(AV) = 15Amp , VR = 200V ) - International Rectifier

2022-11-04 17:22:44

逆变器电路的优化在选择逆变器电路中的开关器件时，要选择trr小的产品，这一点很重要。如果逆变器电路中的开关器件的trr大，则开关损耗会增加。如果逆变器电路中的开关器件是MOSFET，请仔细确认

2022-08-13 22:50:20

快恢复二极管与普通整流二级管最大的区别就是快恢复二极管的反向恢复时间。那么快恢复二极管的反向恢复时间是如何定义的呢？下面来给大家普及一下基础知识：快恢复二极管反向恢复时间（trr）的定义：电流

2021-08-13 17:15:07